日前，全球闪存应用及移动存储领域的领导者朗科公司发布了最新技术成果———“优芯4号”。该芯片首次将闪存盘读写速度提高到了近40MB/S和20MB/S，是市面同类产品读写速度的２-３倍左右。同时，它的ECC纠错能力达到8Bit，较以往提高了4倍。

　　“这是一款性能领先的USB2.0闪存控制芯片。它的诞生将进一步拉大朗科优盘和其他闪存盘品牌之间的技术差距。”有分析人士表示，此举将闪存盘竞争带入到“芯片级”高度，闪存盘“同质化”时代或将终结。据悉，“优芯4号”控制芯片内部采用了高速缓存加速技术、多通道技术、Interleave、Multi-Plane等技术，大大提升了闪存读写速度，用户存储2G数据只需要一分钟左右时间。“优芯4号”的另一大技术亮点是内部集成了BCH算法ECC电路，每512Byte数据最大可纠正8bit数据错误，这一纠错能力在以往闪存盘基础上提高了4倍左右，将大大提高闪存盘数据存储与传输的稳定性，并可以满足更多的闪存应用需求。

　　稿源： 哈尔滨日报
　　作者： (见稿内署名)
　　编辑： 马佐光